深圳市泓京科技有限公司
步進(jìn)電機(jī)技術(shù)
AGC
公司介紹
深圳市泓京科技有限公司，專(zhuān)業(yè)電子元器件代理商，產(chǎn)品范圍：碳化硅（Sic)MOSFET/二極管，MOSFET場(chǎng)效應(yīng)，CAN/CAN-FD/LIN芯片，固態(tài)電容系列，固態(tài)光電繼電器。
我們業(yè)務(wù)范圍：新能源汽車(chē)，光伏逆變，儲(chǔ)能產(chǎn)品，充電樁，工控板，儀器儀表，通信設(shè)備，醫(yī)療設(shè)備以及PD快充等等，我們多年來(lái)于原廠(chǎng)技術(shù)密切合作，可為客戶(hù)解決技術(shù)難題，提供有效的解決方案，包括產(chǎn)品前端設(shè)計(jì)選料減低客戶(hù)的生產(chǎn)成本！
產(chǎn)品展示
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名稱(chēng)
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型號(hào)
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封裝
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參數(shù)
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年份
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庫(kù)存
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操作
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UPH1C152M1012
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10*12
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16V 1500UF
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UPH1C331M0808
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8*8
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16V 330UF
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UPH1C471M0812
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8*12
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16V 470UF
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UPH1C471M1012
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10*12
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16V 470UF
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UPH1C561M0812
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8*12
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16V 560UF
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UPH1C821M0812
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8*12
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16V 820UF
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UPL1C252M1021
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10*21
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16V 2500UF
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UPL1C271M0608
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6*8
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16V 470UF
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The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored ...
E4435/ME4435-G，P溝道30V (D-S) MOSFET一般說(shuō)明ME4435是P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)，效應(yīng)晶體管采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適用于最小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適用于低電壓應(yīng)用，如手機(jī)和筆記本電腦、計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路，這些應(yīng)用需要在非常小的外形表面貼裝封裝中實(shí)現(xiàn)高側(cè)開(kāi)關(guān)和低在線(xiàn)功率損耗。應(yīng)用● 筆記本電源管理● 便攜設(shè)備● ...
The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to ...
The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to mi...
ME50P06 / ME50P06-G，P溝道m(xù)os管 60V（D-S）MOSFETME50P06-G介紹：ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)的P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 這種高密度工藝經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，例如蜂窩電話(huà)和筆記本計(jì)算機(jī)電源管理以及其他電池供電的電路，并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線(xiàn)功率損耗...
型號(hào)：ME15N10-G類(lèi)型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管耗散功率（PD）：34.7 W漏極電流（ID）：【管殼溫度（Tc）＝25 ℃】14.7 A漏極和源極電壓（VDSS）：100 V漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.1 Ω封裝：TO-252ME15N10一般說(shuō)明ME15N10是采用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)的N通道邏輯增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 高密度工藝經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻...
ME50P06-GME15N10-GME50P06-GME20P06-GME85P03ME4435ME4953ME9435AME2323DME3587-GME2345A
今年年初，車(chē)用電子芯片龍頭恩智浦開(kāi)出今年全球微控制器芯片調(diào)漲靠前槍?zhuān)紝⒆钥壳凹鹃_(kāi)始調(diào)漲旗下多個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)全線(xiàn)報(bào)價(jià)，...
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐...
8月20日，建滔子公司達(dá)信電路板（深圳）有限公司發(fā)布《告員工書(shū)》：受環(huán)保政策及深圳坪山區(qū)城市發(fā)展更新等因素影響，達(dá)...
在共享單車(chē)產(chǎn)業(yè)鼎盛時(shí)期，全國(guó)有超過(guò)70家品牌，隨著產(chǎn)業(yè)加速整合，60余家品牌相繼退市，形成以摩拜/哈羅/ofo為主...
根據(jù)《國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委會(huì)員關(guān)于對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)500億美元進(jìn)口商品加征關(guān)稅的公告》的前沿公告，將對(duì)美加征關(guān)稅商品清單二...
近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司收到了1.86億元的退稅款。據(jù)悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)三大存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)之一，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)...
近日在臺(tái)灣舉辦的“集成電路六十周年IC60特展”上，聯(lián)發(fā)科靠前次公開(kāi)拿出了自己的5G測(cè)試用原型機(jī)，搭載的是聯(lián)發(fā)科M...
商務(wù)部消息，8月30日，美國(guó)Autel Robotics公司依據(jù)《美國(guó)1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定向美國(guó)際貿(mào)易...
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