深圳市泓京科技有限公司
步進(jìn)電機(jī)技術(shù)
AGC
公司介紹
深圳市泓京科技有限公司，專業(yè)電子元器件代理商，產(chǎn)品范圍：碳化硅（Sic)MOSFET/二極管，MOSFET場效應(yīng)，CAN/CAN-FD/LIN芯片，固態(tài)電容系列，固態(tài)光電繼電器。
我們業(yè)務(wù)范圍：新能源汽車，光伏逆變，儲能產(chǎn)品，充電樁，工控板，儀器儀表，通信設(shè)備，醫(yī)療設(shè)備以及PD快充等等，我們多年來于原廠技術(shù)密切合作，可為客戶解決技術(shù)難題，提供有效的解決方案，包括產(chǎn)品前端設(shè)計(jì)選料減低客戶的生產(chǎn)成本！
產(chǎn)品展示
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名稱
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型號
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封裝
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參數(shù)
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年份
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庫存
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操作
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UPL1E101M0808
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8*8
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25V 100UF
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UPL1E102M1017
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10*17
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25V 1000UF
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UPL1E151M0808
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8*8
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25V 150UF
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UPL1E182M1021
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10*21
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25V 1800UF
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UPL1E221M0812
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8*12
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25V 220UF
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UPL1E471M0812
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8*12
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25V 470UF
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UPL1E471M1012
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10*12
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25V 470UF
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UPL1E681M1012
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10*12
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25V 680UF
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毫米波雷達(dá)是一種使用1-10毫米波長電磁波的傳感器，具備全天候、抗干擾、測距測速測角、穿透霧塵等核心優(yōu)勢，已從車載ADAS快速滲透到智能座艙、工業(yè)、安防、智能家居、醫(yī)療等領(lǐng)域，成為智能感知的核心基礎(chǔ)設(shè)施。一、核心產(chǎn)品應(yīng)用- 車載（最大場景，占比約60%）- ADAS：前向長距（ACC/AEB）、角雷達(dá)（盲區(qū)/變道/倒車預(yù)警）、4D成像雷達(dá)（L2+/L3+）- 智能座艙：乘員檢測、生命體征、兒...
The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored ...
E4435/ME4435-G，P溝道30V (D-S) MOSFET一般說明ME4435是P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場，效應(yīng)晶體管采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適用于最小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適用于低電壓應(yīng)用，如手機(jī)和筆記本電腦、計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路，這些應(yīng)用需要在非常小的外形表面貼裝封裝中實(shí)現(xiàn)高側(cè)開關(guān)和低在線功率損耗。應(yīng)用● 筆記本電源管理● 便攜設(shè)備● ...
The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to ...
The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to mi...
ME50P06 / ME50P06-G，P溝道m(xù)os管 60V（D-S）MOSFETME50P06-G介紹：ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)的P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管。 這種高密度工藝經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，例如蜂窩電話和筆記本計(jì)算機(jī)電源管理以及其他電池供電的電路，并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線功率損耗...
型號：ME15N10-G類型：N溝道場效應(yīng)管耗散功率（PD）：34.7 W漏極電流（ID）：【管殼溫度（Tc）＝25 ℃】14.7 A漏極和源極電壓（VDSS）：100 V漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.1 Ω封裝：TO-252ME15N10一般說明ME15N10是采用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)的N通道邏輯增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管。 高密度工藝經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻...
今年年初，車用電子芯片龍頭恩智浦開出今年全球微控制器芯片調(diào)漲靠前槍，宣布將自靠前季開始調(diào)漲旗下多個(gè)產(chǎn)品線全線報(bào)價(jià)，...
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐...
8月20日，建滔子公司達(dá)信電路板（深圳）有限公司發(fā)布《告員工書》：受環(huán)保政策及深圳坪山區(qū)城市發(fā)展更新等因素影響，達(dá)...
在共享單車產(chǎn)業(yè)鼎盛時(shí)期，全國有超過70家品牌，隨著產(chǎn)業(yè)加速整合，60余家品牌相繼退市，形成以摩拜/哈羅/ofo為主...
根據(jù)《國務(wù)院關(guān)稅稅則委會員關(guān)于對原產(chǎn)于美國500億美元進(jìn)口商品加征關(guān)稅的公告》的前沿公告，將對美加征關(guān)稅商品清單二...
近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司收到了1.86億元的退稅款。據(jù)悉長江存儲是我國三大存儲器晶圓廠之一，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國...
近日在臺灣舉辦的“集成電路六十周年IC60特展”上，聯(lián)發(fā)科靠前次公開拿出了自己的5G測試用原型機(jī)，搭載的是聯(lián)發(fā)科M...
商務(wù)部消息，8月30日，美國Autel Robotics公司依據(jù)《美國1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定向美國際貿(mào)易...
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